%0 Journal Article
%T 多孔硅的热氧化与光致发光
%A 李经建
%J 科学通报
%P 1282-1282
%D 1995
%X 多孔硅的室温可见光发射现象报道迄今已3年有余,Canham和Lehamm分别提出了光发射的量子限制模型,来解释多孔硅的光致发光现象.我们前期工作中发现的多孔硅的荧光峰值能量随HF酸浓度变化的“台阶”行为,有力地支持了量子限制模型.但对于荧光强度的变化和一些与表面后处理有关的实验事实,仅用量子限制模型则不能给出令人满意的回答.关于多孔硅光致发光的机制仍是一个争论的问题.
%K 多孔硅
%K 热氧化
%K 光致发光
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract363432.shtml