%0 Journal Article
%T 场助InP/InGaAsP/InP半导体光电阴极时间响应的计算
%A 李晋闽
%J 科学通报
%P 598-598
%D 1992
%X 一、引言场助Ⅲ—Ⅴ族多元化合物半导体光电阴极与GaAsNEA(Negativeelectronaffinity)光电阴极相比,具有可延伸光电探测的长波阈值、提高红外波段光谱灵敏度等优点,因此在光纤通信、微光夜视以及高速摄影等方面具有广泛的应用。虽然目前场助多元化合物半导体光电阴极的研究已取得了许多成果,但有关理论研究方面的报道却很少见,特别是判别多元化
%K 半导体光电阴极
%K 异质结
%K 时间响应
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract361771.shtml