%0 Journal Article
%T 电子屏蔽和离子间关联对Pd-D系统中氘核聚变率的影响
%A 张富祥
%J 科学通报
%P 1276-1276
%D 1992
%X vanSiclenDew和Jones曾计算过,自由氘分子的核聚变率为～10~(-70)/s,远小于可观测的水平(10~(23)/s)。但对钯等金属内的氘,考虑了离子间的关联作用后,其聚变率有显著提高。然而,只考虑电子屏蔽效应或离子间的关联作用,在通常条件下聚变率均达不到可观测的水平。本文同时考虑了电子屏蔽作用和离子间关联作用对氘核聚变率的影响。
%K 强耦合等离子体
%K 关联作用
%K 屏蔽效应
%K 核聚变率
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract361282.shtml