%0 Journal Article
%T c轴取向PbTiO_3薄膜的制备与结构分析
%A 顾豪爽
%J 科学通报
%P 1561-1561
%D 1992
%X 一、引言钛酸铅PbTiO_3,是一种优良的热释电材料.特别是c轴取向的PbTiO_3薄膜,c轴就是极化轴,热释电系数r约为2.5×10~(-8)C/cm~2·K,热容量小,沿c轴的相对介电常数8_r~6小(约100),热释电品质因素较PbTiO_3,晶体有明显提高.因此有希望成为高性能指数,高灵敏度的传感器材料.目前,人们利用射频磁控溅射法已生长出口轴取向PbTiO_3薄膜.
%K 浸渍提拉
%K PbTio
%K 薄膜
%K 取向
%K SrTio_3
%K 结构
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract361365.shtml