%0 Journal Article
%T 多孔硅中硅量子线横截面尺寸的“恒定”与“台阶”行为
%A 刁鹏
%A 李经建
%A 蔡生民
%A 张树霖
%J 科学通报
%P 1471-1475
%D 1996
%X 硅是间接禁带半导体,禁带宽度为1.11eV不可能在可见光区发光。1990年,Canham发现电化学阳极氧化制备的多孔硅(poroussilicon缩写为PS)样品在室温下出现强烈的光致荧光现象。从此PS引起人们的极大兴趣。大量的实验结果表明PS的光致荧光现象是PS层中的量子限制效应的结果。本课题组曾研究了PS样品制备后的氧化处理与光致荧光谱的关系,从一个侧面支持了量子限制效应导致PS光致荧光的机理。PS的电化学形成过程独具特色,因为硅电极并不像其他电极那样在阳极溶解时表面原子逐层剥落,而是在硅表面形成许多直径为微米至纳米级的小孔,小孔的交叠产生了具有抗溶解特性的一根根很细的硅柱。目前有一些PS形成机理的研究报道,但引入量子限制效应观点的不多。本文研究了PS的光致荧光谱和制备时的电流密度及HF溶液浓度的关系,结合量子限制效应讨论了PS的电化学形成过程。
%K 多孔硅
%K 光致荧光谱
%K 量子限制效应
%K 隧道效应
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract364164.shtml