%0 Journal Article
%T La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3中Mn位上的Cu掺杂效应研究
%A 孙霞
%A 汤萍
%A 陈岳
%A 姜勇
%A 黄真
%A 李广
%A 刘智民
%A 陈治友
%A 王胜
%A 袁松柳
%J 科学通报
%P 1393-1398
%D 1998
%X La2/3Ca1/3MnO3系统中Mn位上Cu掺杂效应通过测量其结构和输运性质而得以研究.结果表明,尽管Cu掺杂未引起晶体结构的变化,但输运性质却发生了明显改变,未掺杂样品在～260K附近出现的由半导体到金属的相变随着掺杂量的增加而逐渐被抑制,取而代之的是低温下出现新的相变.液氮温度下磁电阻测量表明,适当的Cu掺杂可导致磁电阻效应比的实质性提高
%K 巨磁电阻效应
%K Cu掺杂
%K 输运性质
%K 电荷转移
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract365584.shtml