%0 Journal Article %T Cu的表面偏聚对NiFe/FeMn交换耦合场的影响 %A 李明华 %A 于广华 %A 朱逢吾 %A 姜宏伟 %A 赖武彦 %J 科学通报 %P 1258-1260 %D 2001 %X 采用磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta/Cu作为缓冲层的两种NiFe/FeMn双层膜.实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场比以Ta/Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场大.测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成分.结果表明以Ta/Cu为缓冲层时,Cu在NiFe层的表面偏聚是造成NiFe/FeMn双层膜交换耦合场降低的重要原因. %K NiFe/FeMn %K 交换耦合场 %K 织构 %K 表面粗糙度 %K 表面偏聚 %U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract367396.shtml