%0 Journal Article
%T Ce:KNSBN晶体中的光扇效应及其图像存储
%A 李盼来
%A 郭庆林
%A 王志军
%A 庞立斌
%A 梁宝来
%J 科学通报
%P 23-26
%D 2007
%X 采用非同时读出条件下的两波耦合实验装置,以单束光入射CeKNSBN光折变晶体,研究了入射光强度和光入射角对CeKNSBN晶体中光扇效应的影响.研究发现,光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性,入射光强度阈值为38.2mW/cm2;对应相同的入射光强度,光入射角θ为15°时稳态光扇强度Ifsat最强.研究了入射光调制对晶体中光扇噪声及体全息存储的影响,入射光调制抑制了光扇噪声对CeKNSBN晶体两波耦合及体全息存储的影响,使得再现图像质量得到了明显改善.
%K Ce
%K KNSBN晶体
%K 光扇效应
%K 阈值特性
%K 图像存储
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract370111.shtml