%0 Journal Article
%T 电阻转变型非挥发性存储器概述
%A 李颖弢
%A 龙世兵
%A 吕杭炳
%A 刘琦
%A 刘肃
%A 刘明
%J 科学通报
%P 1967-1973
%D 2011
%X 随着材料科学以及半导体技术的高速发展,电阻转变型存储器(RRAM)器件由于其具有非挥发特性、高读写速度、低功耗、高集成度、多值存储能力、低成本等优势,引起了人们极大的兴趣并一度成为现阶段研究的热点.和所有产品一样,RRAM器件也需要一些性能参数来评判其优缺点.对RRAM器件来说,评判其性能的主要参数包括操作电压、操作速度、电阻比率、耐受性、保持特性、多级存储、器件良率.此外,还对导致RRAM器件发生电阻转变的主要机理,不同电极材料、掺杂以及不同器件结构对电阻转变特性的影响进行了总结.最后,对RRAM存在的主要问题以及研究的重点作了简单评述.
%K 电阻转变存储器
%K 电阻转变
%K 特性参数
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract504564.shtml