%0 Journal Article
%T ZnO基异质结紫外光发射器件研究进展
%A 刘益春
%A 徐海阳
%A 刘春阳
%A 刘为振
%J 科学通报
%P 769-778
%D 2014
%R 10.1360/csb2014-59-9-769
%X 宽禁带半导体ZnO具有高达60meV的激子束缚能，是一种极具潜力的短波长发光材料.在其p型掺杂存在巨大挑战的现状下，发展ZnO基异质结光发射器件不失为一种理想的选择.本文围绕p-n结型和MIS结型（金属-绝缘体-半导体）两类异质结构，介绍了ZnO紫外发光二极管（LED）和激光二极管（LD）的研究进展.针对ZnO异质结LED/LD存在的问题（如发光效率低、稳定性差），重点介绍了通过引入ZnO单晶纳米线和金属局域表面等离激元，以及采用表面钝化等方法，改善器件性能方面的研究工作.
%K ZnO
%K 异质结
%K 紫外光发射器件
%K p-n结型
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract513831.shtml