%0 Journal Article
%T 超导磁通量子比特的制备及Al/AlOx/Al隧道结特性参数
%A 王林
%A 许伟伟
%A 翟计全
%A 李晓虎
%A 孙国柱
%A 吴培亨
%J 科学通报
%P 2728-2733
%D 2014
%R 10.1360/N972014-00168
%X 超导量子比特作为利用约瑟夫森结实现量子位的方案之一，具有易集成、易与外界耦合等优点.用双层光刻胶通过深紫外光曝光制备悬空掩膜结构，Al作为超导材料，采用电子束斜蒸发及静态氧化的方法制备了超导磁通量子比特样品.通过对Al薄膜厚度与平整度关系分析，选取60nm作为隧道结底层Al厚度，增加蒸发源到样品衬底间的距离，提高了Al薄膜平整度，降低了隧道结漏电流.通过透射电子显微镜分析，观测到Al隧道结三层结构，并得到了势垒层厚度和氧分压的关系.
%K 超导磁通量子比特
%K Al/AlOx/Al超导隧道结
%K 静态氧化
%K 透射电子显微镜分析
%K 势垒层厚度
%K 薄膜平整度
%K 漏电比
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract515489.shtml