%0 Journal Article
%T Keggin型含钨杂多化合物紫外光谱与氧化还原性质的研究
%A 王恩波
%J 科学通报
%P 1195-1195
%D 1992
%X 杂多化合物的紫外光谱是由O→M的荷移跃迁引起的,由于荷移跃迁过程是分子内部氧化还原过程,所以预期杂多化合物荷移跃迁能量与其极谱性质及氧化还原电位间有联系。本文研究了Keggin型杂多化合物H_((?))XW_(12)O_(40)·nH_2O(X=B、Si、P、Ge)、Na_3AsW_(12)O_(40)·nH_2O、过渡金属离子取代的杂多化合物K_((?))SiW_(11)MO_(40)(M-Mn~(11)、Zn~(11)、Co~(11)、Ni~(11)、Cu~(11))的紫外光谱及极谱。实验发现对于电荷不同的杂多阴离子,它们的第一极谱半波电位与特征荷移跃迁能量间线性相关。并探讨了中心离子对极谱半波电位影响的规律。
%K Keggin型杂多化合物
%K 紫外光谱
%K 氧化还原性质
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract361240.shtml