%0 Journal Article
%T 应力下OsSi2电子结构和光学特性研究
%A 李旭珍
%A 谢泉
%A 陈茜
%A 赵凤娟
%A 崔冬萌
%J 科学通报
%P 746-751
%D 2010
%R 10.1360/972009-1269
%X 采用基于第一性原理的密度泛函理论(DensityFunctionalTheory)赝势法,对各向同性形变下OsSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算.计算结果表明,当晶格常数从96%,100%,104%依次进行各向同性形变时,OsSi2的带隙逐渐减小.当晶格参数被压缩到原来的96%时,OsSi2的间接带隙值Eg=0.928eV,当晶格参数被拉伸到原来的104%时,OsSi2的间接带隙值Eg=0.068eV.其光学特性曲线向低能方向漂移,晶格拉伸使得OsSi2的静态介电函数增大而压缩使其减小;晶格压缩可以使其吸收响应增强,进而提高光电转换效率.
%K OsSi2
%K 第一性原理
%K 应力
%K 电子结构
%K 光学特性
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract416805.shtml