%0 Journal Article
%T 三重态激子在不同荧光染料掺杂体系中的湮灭过程
%A 阚敏
%A 陈平
%A 曹绍谦
%A 刘文利
%A 宋群梁
%A 熊祖洪
%J 科学通报
%P 1358-1364
%D 2010
%R 10.1360/972009-1402>
%X 室温下,在红色荧光染料掺杂的有机发光器件ITO/N,N′-bis(naphthalen-1-y)-N,N′-bis(phenyl)benzidine(NPB)/tris(8-hydroxyquinolato)aluminum(Alq3)4-dicyanomethylene-2-methyl-6-p-dimethylaminostyryl-4H-pyran(DCM)/Alq3/LiF/Al中,观察到发光随外磁场的变化(即磁致发光)表现为刚开始的快速增加,在~50mT处达到最大后,随着磁场的进一步增加,又呈现出减弱的特点(即高场效应);而且,器件的掺杂浓度越高、所加偏压越大,该高场减弱就越明显.但在另一类绿色荧光染料5,12-dihydro-5,12-dimethylquino[2,3-b]acridine-7,14-dione(DMQA)的掺杂器件中,磁致发光的高场部分则是在~50mT后增加变缓并逐渐趋于饱和.分析结果表明,F？rster能量转移过程占主导发射的DMQA掺杂器件,不利于染料分子上三重态激子的形成,从而,通过三重态激子对(tripletpairs)湮灭产生单重态激子(triplet-tripletannihilation,TTA)的过程不易发生;但在载流子陷阱效应参与发射的DCM掺杂器件中,室温下在染料分子上就可以形成寿命较长的三重态激子,增加了发生TTA过程的几率.因此,基于掺杂器件中两种不同的发射机制,外加磁场对有机发光中三重态激子对(T???T)的演化表现出了不同的调控作用.
%K 染料掺杂
%K 高场效应
%K F？rster能量转移
%K 载流子陷阱
%K 三重态激子湮灭
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract417522.shtml