%0 Journal Article
%T 脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜的研究
%A 杨平雄
%A 郑立荣
%A 林成鲁
%J 科学通报
%P 220-222
%D 1997
%X 铁电薄膜存储器(FRAM)由于具有动态随机存储器(DRAM)快速读写功能和可擦写唯读存储器(EPROM)非挥发性,又具有抗辐照、功耗低等特性,已成为国际上固态器件研究的一个热点。铁电存储器常用的铁电材料是Pb(ZrTi)O3(PZT)等氧化物钙钛矿结构材料。由于这些铁电材料抗疲劳性能较差,阻碍了铁电存储器的商品化进程。deAraujo等人报道了铋系层状类钙钛矿结构的铁电薄膜具有抗疲劳特性,用这类铁电材料制作的铁电存储器,在1012次重复开关极化后,仍没有显示疲劳现象,并且具有很好的信息储存寿命和较低的漏电流。
%K SBT
%K 脉冲激光沉积
%K 铁电薄膜
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract365046.shtml