%0 Journal Article
%T 电感耦合等离子体CVD室温制备的纳米Si薄膜场电子发射研究
%A 贺德衍
%A 王晓强
%A 陈强
%A 栗军帅
%A 尹旻
%A A.
%A V.
%A Karabutov
%A A.
%A G.
%A Kazanskii
%J 科学通报
%P 251-254
%D 2006
%X 利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜，用拉曼谱对样品的结构进行了表征，502cm-1附近散射峰的出现说明在样品中形成了纳米结晶相。用原子力显微镜观察样品表面形貌发现，在合适的等离子体条件下制备的样品，其表面由随机均匀排列的高密度Si锥组成，Si锥的高度为30~40nm，直径约为200nm。场电子发射测量结果显示样品具有良好的电子发射特性，开启电压为7~10V/μm。
%K ICP-CVD
%K 纳米Si锥
%K 场电子发射
%K 低温生长
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract369969.shtml