%0 Journal Article
%T GaN掺Cr材料的局域电子结构和磁性
%A 蔺何
%A 段海明
%J 科学通报
%P 903-907
%D 2006
%R 10.1360/972005-938
%X 运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr的局域电子结构和磁性,计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法.计算结果表明Cr原子的磁矩随掺杂浓度有明显的变化,变化趋势和实验结果吻合.在包含两个Cr原子的体系中,Cr原子之间是铁磁性偶合,每个Cr原子的磁矩与相同浓度下掺杂一个Cr原子的磁矩相近.对于不同的掺杂浓度,Cr原子与最近邻N原子之间均为反铁磁偶合,Cr原子的3d电子与N原子的2p电子之间有很强的杂化,这与晶体的能带计算方法得到的结果一致.
%K 稀磁半导体
%K 密度泛函理论
%K 原子团模型
%K 第一性原理计算
%K 电子结构
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract370076.shtml