%0 Journal Article
%T 关于A15化合物低温电阻率的温度依赖性
%A 雷啸霖
%J 科学通报
%P 1249-1252
%D 1981
%X 一、引言实验表明,在大约50K以下的温度范围,A15化合物Nb3Sn,Nb3Al和Nb3Ge的正常态电阻率可以相当好地用ρ=ρ0+αT2的规律描写[1,5];V3Si的电阻率似乎比T2增加得略快一些[2];Nb3Sb的电阻率随T的增加比较快,不能用简单的方幂表达,但在15—25K之间接近T3.6[1];还有一些A15化合物,如Cr3Si,低温电阻率显示了更快的变化[3]。这些现象的解释目前还是一个有争议的问题。
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract354259.shtml