%0 Journal Article
%T Hg1-xCdxTe三元半导体的禁带宽度
%A 褚君浩
%A 徐世秋
%A 汤定元
%J 科学通报
%P 403-405
%D 1982
%X 三元系Hg1-xCdxTe(0≤x≤1)随着x的增大由半金属转变成半导体,半导体的禁带宽度Eg既是发展红外探测器的基本参数,又是能带结构研究中必须由实验来确定的两个最基本的参数之一(另一个是电子有效质量m*或动量矩阵元P),因而它与组分x和温度T的关系是一个特别重要的问题,有过不少的研究报道。
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract355042.shtml