%0 Journal Article
%T CMP中接触与流动关系的分析
%A 张朝辉
%A 杜永平
%A 雒建斌
%J 科学通报
%P 1961-1965
%D 2006
%X 分别考虑抛光垫基体和粗糙峰变形建立化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing/planarization,CMP)的一维两层接触模型和抛光液流动模型,分析了CMP中接触压力和流动的关系,利用数值方法模拟了抛光垫基体和粗糙峰变形情况,以及接触压力和流体压力的分布情况.分析表明在晶片入口区附近形成了发散间隙,从而抛光液流体出现负压,在晶片边缘形成了高应力集中导致的过度抛光,解释了CMP的这两个基本特征.
%K 化学机械抛光
%K 接触压力
%K 流体负压
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract369910.shtml