%0 Journal Article
%T 基于0.5μm标准CMOS工艺的新型Λ负阻器件
%A 陈燕
%A 毛陆虹
%A 郭维廉
%A 于欣
%A 张世林
%A 谢生
%J 科学通报
%P 3054-3056
%D 2011
%X 介绍了一种新型的I-V特性为Λ型的负阻器件(negativeresistancedevice,NRT),该器件使用上华0.5μm标准互补金属氧化物半导体(complementarymetal-oxide-semiconductortransistor,CMOS)工艺制造.为节省器件数目,此类负阻器件并不调用上华工艺库中现有的标准元件模型,而是将一个金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MOSFET)和一个双极晶体管(bipolarjunctiontransistor,BJT)制作在相同的n阱中,利用p型基区层作为MOSFET的衬底,从而将两个器件合二为一.NRT拥有较低的谷值电流-6.8217nA和较高的电流峰谷比(peak-to-valleycurrentratio,PVCR)为3591.器件的峰值电流较小,为-24.4986μA,意味着较低的功耗.该负阻器件的平均负阻阻值为32kΩ.不同于近年来的大多数负阻器件,本器件制作于硅材料衬底上而非化合物材料衬底.因而能够与主流CMOS工艺兼容.新型NRT功耗较低,同时能够极大地节省器件数目,减小芯片占用面积,极大地降低了成本费用.
%K &Lambda
%K 型负阻器件
%K CMOS
%K p
%K 型基区层
%K 电流峰谷比
%K 低功耗
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract505976.shtml