%0 Journal Article
%T 溅射淀积Inp薄膜的结晶生长结构
%A 黎锡强
%J 科学通报
%P 1599-1599
%D 1990
%X Inp热不稳定性是导致真空热淀积成膜失败的重要原因。虽然射频溅射法已成功制备了大量诸如GaAs,GaP和InAs等Ⅲ—V族化合物薄膜,但无Inp报道。我们首次以Inp晶体作靶,与磷共溅射成功淀积了符合配比的非晶Inp薄膜。本文进一步探讨淀积Inp膜的生长结构。
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract360096.shtml