%0 Journal Article
%T 硅中氧沉淀的高分辨电镜研究
%A 肖治纲
%J 科学通报
%P 1198-1198
%D 1987
%X 最近我们用高分辨电镜方法研究了750℃50—100h退火后直拉硅单晶中的氧沉淀。选择750℃退火的原因有二①大规模集成电路工艺正在开发以氧沉淀及其诱生的位错、层错吸收有害杂质的新技术,为了提高氧沉淀速率,常在750℃附近的温度对硅片进行预先热处理。②文献报道,750℃附
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract357876.shtml