%0 Journal Article
%T 半绝缘砷化镓中与EL2缺陷有关的局域模振动吸收研究
%A 宋春英
%J 科学通报
%P 177-177
%D 1988
%X 一、引言由于SI-GaAs材料在技术上的极端重要性,决定其半绝缘性质的EL2能级成为最受关注的深能级之一。近几年来,人们通过大量实验(包括光电容、光电流、光致发光和光吸收)观察到了EL2这个本征深中心的奇特的光淬灭效应。为了解释这种现象,人们普遍接受了由Vincent等提出的包含大晶格弛豫的亚稳态的位形坐标模型。但由于所观察的各种
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract358856.shtml