%0 Journal Article
%T AlGaAs中混晶无序与DX中心的性质
%A 康俊勇
%J 科学通报
%P 1455-1455
%D 1988
%X 一、引言对Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶中普遍存在的施主中心(DX中心)的研究,近几年来很活跃。实验观察到AlGaAs中施主中心的主要性质1.随Si、Sn和Te等施主杂质掺入,出现浅和深施主能级,其浓度N_S和N_D之比仅由混晶组分x决定,不随生长方法及生长条件变化,其浓度总和等于施主杂质浓度(见图1)。2.深能级的束缚能随组分,变化明显,x≈0.4束缚能最大。3.低温下对施主电子的光激发,产生持久光电导(PPC),且有很显著的组分依赖关
%K 杂质
%K 混晶无序效应
%K 混晶半导体
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract358662.shtml