%0 Journal Article
%T 氮化锆对氮化硅基复相陶瓷室温导电特性的影响
%A 王崇民
%J 科学通报
%P 1308-1308
%D 1989
%X 一、前言制备Si_3N_4-ZrO_2复合材料时,Si_3N_4与ZrO_2易反应生成ZrN。ZrN的生成改变了Si_3N_4材料的绝缘性能。本文研究了Si_3N_4-ZrO_2复合材料的室温导电特性。结果表明Si_3N_4-ZrO_2复合材料在室温下电阻率随加入ZrO_2的量的增加而降低。对同一组成的样品,其电阻率随制备温度的提高而呈下降趋势。这种材料的低电阻率对进一步研究它的放电加工有利。
%K 氮化锆
%K 氮化硅
%K 氧化锆
%K 导电性
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract359287.shtml