%0 Journal Article
%T 三维CMOS集成电路结构的HVEM研究
%A 李永洪
%J 科学通报
%P 1454-1454
%D 1989
%X 提高VLSI集成度的重要途径之一是研究器件的新结构,发展三维集或电路,即在制成的MOS器件上形成一层SiO_2绝缘层,再在其上的再结晶多晶硅层上制作另一层MOS器件。近年来关于这方面的工艺研究已有一些报道。我们用高压电子显微镜对这种三维电
%K 再结晶
%K 倒相器
%K 电子显微镜
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract359340.shtml