%0 Journal Article
%T 快离子在C60薄膜中电子能损效应
%A 金运范
%A 杨茹
%A 刘昌龙
%A 王衍斌
%A 程松
%A 刘杰
%A 侯明东
%A 姚江东
%J 科学通报
%P 2150-2153
%D 1999
%X 用Raman散射技术分析了171.2MeVS9+和120keV的H+离子在C60薄膜中电子能损引起的效应,即晶态→非晶态转变.在H+离子辐照的情况下,发现电子能损有明显的退火效应,致使C60晶态→非晶态转变过程中,经过一个石墨化的中间过程.而在S9+离子辐照的情况下,电子能损的破坏作用超过了退火效应,不存在石墨化的中间过程.
%K 电子能损效应
%K C60薄膜
%K 快离子
%K 退火效应
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract366457.shtml