%0 Journal Article
%T n-Ge中的反常霍耳效应
%A 邢旭
%J 科学通报
%P 1701-1701
%D 1985
%X 反常霍耳效应的研究,虽然已经取得了不少成果,可是由于对它的理论解释目前还存在很大的分歧,所以至今这方面的实验研究和理论研究还都正在进行之中。到目前为止,在各种半导体样品中,已被发现的全部反常霍耳效应,均出现在低温或超低
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract356719.shtml