%0 Journal Article
%T 线性GaAs光电导开关的饱和参数研究
%A 杨宏春
%A 阮成礼
%A 孙庆玲
%A 张克迪
%A 张鹏程
%A 张达
%J 科学通报
%P 1516-1522
%D 2008
%X 通过计算几种主要散射机制对GaAs迁移率和电导率的影响,给出了GaAs迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律;考虑常温、低偏置电场下费米能级对载流子浓度的约束,给出了光激励下GaAs中的饱和载流子浓度;结合微带实验测试电路方程、饱和载流子浓度计算结果、半导体迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律,以及半导体材料对激励光强的朗伯吸收规律,给出了微带测试电路条件下的饱和光能和饱和电压等参数,在实验误差范围内,理论计算结果与实验测试结果较好吻合.
%K 散射机制
%K 电导率
%K 迁移率
%K 饱和光能
%K 饱和输出电压
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract371301.shtml