%0 Journal Article
%T GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性
%A 刘磊
%A 陈诺夫
%A 汪宇
%A 白一鸣
%A 崔敏
%A 高福宝
%J 科学通报
%P 16-20
%D 2009
%X 利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)制备了转化效率达27.1%的GaInP/GaAs/Ge三结叠层电池,并对其光谱响应的温度特性进行了测量研究.通过光谱响应曲线观察到各子电池的吸收边随温度升高发生红移,这主要归因于电池材料禁带宽度的变窄效应.根据光谱响应数据计算得到的GaInP/GaAs/Ge叠层电池各子电池在室温下的短路电流密度分别为12.9,13.7和17mA/cm2,且叠层电池的短路电流密度的温度系数为8.9？μA/(cm2·℃).最后,根据叠层电池的串联结构推导了其电压温度系数为-6.27mV/℃.
%K 光谱响应
%K 叠层电池
%K 温度系数
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract411407.shtml