%0 Journal Article
%T 用于信息存储、逻辑运算和大脑神经功能模拟的忆阻型离子器件
%A 郭新
%A 谈征华
%A 尹雪兵
%A 李泓
%A 陈立泉
%A 郭向欣
%J 科学通报
%P 2926-2936
%D 2014
%R 10.1360/N972014-00387
%X 在电场作用下阳离子或阴离子的传输导致离子导体电阻态的变化，是离子导体的一般性阻变机理.与现有的半导体器件相比，忆阻型离子器件有显著优点离子器件作为存储器时其信息存储密度高、能耗低、擦写时间只需几纳秒；离子器件还可用于逻辑运算，这样未来的计算机将不受冯·诺依曼瓶颈的限制，信息的存储与处理将均可由离子器件完成.尤为重要的是，用离子器件构建的人工神经网络能够实现类似大脑的学习、记忆和遗忘等功能，美国国防高级研究计划署的SyNAPSE项目有望于2016年制造出与猫智力相当的人工大脑，该人工大脑的能耗约为1kW，体积小于2L，这将是人工智能领域的一场革命.纳米离子器件将在下一个信息时代发挥重要作用.
%K 离子器件
%K 忆阻器
%K 信息存储器
%K 逻辑运算
%K 类神经突触
%K 神经功能
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract515450.shtml