%0 Journal Article
%T 磁控溅射工艺引起硅表面超薄钝化层电子结构变化
%A 高明
%A 杜汇伟
%A 杨洁
%A 陈姝敏
%A 徐静
%A 马忠权
%J 科学通报
%P 1841-1848
%D 2015
%R 10.1360/N972014-01384
%X 通过真空热退火、有效少子寿命(teff)的测量(利用微波光电导衰减μ-PCD法)和表面-界面光电子能谱分析(X-rayPhotoemissionSpectroscopy,XPS)等方法,研究了磁控溅射沉积ITO(IndiumTinOxide)薄膜过程中,等离子体中载能粒子束(原子/离子和紫外辉光)对超薄SiOx(1.5~2.0nm)/c-Si(150μm)样品界面区的原子成键和电子态的损伤问题,并就ITO薄膜的硅表面电子态有效钝化功能进行了研究.结果表明,溅射沉积ITO薄膜材料后该样品的teff衰减了90%以上,从105μs减少到5μs.但是,适当退火条件可以恢复少子寿命到30μs,表明SiOx/c-Si之间界面态的降低有助于改善氧化层的钝化效果.ITO薄膜和c-Si之间SiOx薄层的形成和它的结构随退火温度的变化,是导致界面态、少子寿命变化的主要原因,且得到了XPS深度剖析分析的确认.
%K 溅射损伤
%K SiOx/c-Si界面
%K μ-PCD
%K 有效少子寿命
%K 真空退火
%K XPS
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract517880.shtml