%0 Journal Article
%T 激光再结晶CMOS/SOI器件
%A 沈宗雍
%J 科学通报
%P 1274-1274
%D 1985
%X SOI(SilicononInsulator)材料是发展高速CMOS-LSI(Complementarymatal-oxide-semiconductor-largescaleintegratedcircuits)和三维集成电路的理想材料。最近几年,利用激光、电子束和移动石墨舟加热等方法来实现绝缘层上多晶硅熔化再结晶,这些方法有可能获得一种优质、廉价且容易和现在的VLSI工艺技术相容的新的SOI材料。本文,报道了用连续Ar~+
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract356532.shtml