%0 Journal Article
%T 非晶态半导体多层膜a-Si:H/a-SiN_x:H的总应力随退火温度变化的研究
%A 王万录
%J 科学通报
%P 497-497
%D 1987
%X 一、引言近几年以来,非晶态半导体多层膜结构越来越引起人们的极大兴趣,由于非晶态半导体本身结构是长程无序的,因此在制备多层膜时,不象晶态那样,需要在材料选择上考虑严格的晶格匹配问题。加之它有许多新奇的特性,这就为非晶态半导体又开拓了一个新的研究领域,然而它和其他非晶态半导体材料一样,在薄膜的制备过程中,积存了很大的内应力。当应
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract358294.shtml