%0 Journal Article
%T 反应烧结碳化硅高温氧化过程的表面分析
%A 郑传伟
%A 曹小明
%A 张劲松
%J 腐蚀科学与防护技术
%P 479-483
%D 2010
%X 用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等表面分析方法,考察了反应烧结碳化硅(RBSC)材料在纯氧气中的氧化行为.结果表明,反应烧结SiC(RBSC)表面残余Si比α-SiC拥有更多的缺陷,初期氧化速率更快.表面粗糙度的变化在一定程度上也反映了氧化发生的过程.结合氧化动力学、SEM及AFM,建立了RBSC初期氧化过程的生长模型.提供表面三维信息的AFM和分析成分与形貌信息的SEM技术是研究表面氧化过程尤其是初期氧化十分方便有效的工具.
%K 碳化硅
%K 高温氧化
%K 粗糙度
%K 拓扑形貌
%U http://www.cspt.org.cn/CN/abstract/abstract19273.shtml