%0 Journal Article
%T SiCMOSFET,SiCoolMOS和IGBT的特性对比及其在DAB变换器中的应用
%A 梁美
%A 郑琼林
%A 可翀
%A 李艳
%A 游小杰
%J 电工技术学报
%P 41-50
%D 2015
%X 碳化硅(SiC)半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性受到了广泛关注.SiC半导体器件作为一种新型器件,对其与Si半导体器件的特性对比及评估越来越有必要.本文主要对比了SiCMOSFET,SiCoolMOS和IGBT的静态特性.并搭建了基于Buck变换器的测试平台,测试条件为输入电压为400V,电流为4~10A,对比了三种器件的开关波形,开关时间,开关损耗,dv/dt,di/dt以及内部二极管的反向恢复特性.设计了一台2kW的双主动全桥(DAB)变换器的实验样机,对比了应用三种器件的DAB变换器的理论效率和实测效率.
%K SiC
%K MOSFET
%K CoolMOS
%K IGBT
%K 特性
%K DAB变换器
%U http://www.ces-transaction.com/CN/abstract/abstract3226.shtml