%0 Journal Article
%T Cascode型GaNHEMT输出伏安特性及其在单相逆变器中的应用研究
%A 李艳
%A 张雅静
%A 黄波
%A 郑琼林
%A 郭希铮
%J 电工技术学报
%P 295-303
%D 2015
%X 近年来随着氮化镓器件制造工艺的迅速发展,氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）已经开始应用在电力电子领域。高压共源共栅（Cascode）GaNHEMT的出现使得GaN器件可以在高压场合进行应用。本文首先研究了耗尽型GaNHEMT及CascodeGaNHEMT全范围输出伏安特性及其特点。结合SiMOSFET和耗尽型GaNHEMT的特性,本文重点研究了CascodeGaNHEMT的工作模态及其条件。最后,给出了500W基于600VCascodeGaNHEMT单相全桥逆变器的实验验证。实验结果和仿真验证证明了理论分析的正确性。
%K 宽禁带半导体器件
%K GaN
%K HEMT
%K 共源共栅结构
%K 输出伏安特性
%U http://www.ces-transaction.com/CN/abstract/abstract3132.shtml