%0 Journal Article
%T CMOS器件单粒子效应电荷收集机理
%A 董刚
%A 封国强
%A 陈睿
%A 韩建伟
%J 北京航空航天大学学报
%P 839-843
%D 2014
%R 10.13700/j.bh.1001-5965.2013.0435
%X 针对90nmCMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductor）工艺，采用三维数值模拟方法，研究了反相器中NMOS（Negativechannel-Metal-Oxide-Semiconductor）晶体管与PMOS（Positivechannel-Metal-Oxide-Semiconductor）晶体管的单粒子瞬变（SET，SingleEventTransient）电流脉冲，深入分析了PMOSFET（Positivechannel-Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）与NMOSFET（Negativechannel-Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）发生单粒子效应时电荷输运过程和电荷收集机理.研究结果表明，由于电路耦合作用，反相器中晶体管的电荷收集与单个晶体管差异显著；反相器中PMOS晶体管电荷收集过程中存在寄生双极放大效应，NMOS晶体管中不存在寄生双极放大效应；由于双极放大效应，90nm工艺下PMOS晶体管产生的SET电压脉冲比NMOS晶体管产生的电压脉冲持续时间更长，进而导致PMOS晶体管的SET效应更加敏感.研究结果为数字电路SET的精确建模、进行大规模集成电路SET效应模拟提供了参考依据.
%U http://bhxb.buaa.edu.cn/CN/abstract/abstract12959.shtml