%0 Journal Article
%T 脉冲电沉积制备InSb/Sb超晶格纳米线阵列
%A 杨友文
%A 陈延彪
%A 吴玉程
%A 解挺
%A 刘飞
%J 化工学报
%P 870-874
%D 2011
%X 采用脉冲电沉积技术在氧化铝模板中制备得到直径60nm的InSb/Sb超晶格纳米线阵列，并运用扫描电镜、透射电镜和电子能谱仪对其形貌与结构进行了表征与测试。高度有序的InSb/Sb超晶格纳米线长度约为40μm，其长径比超过600。实验中，通过改变沉积电压与时间达到了对超晶格纳米线组分与结构的控制,纳米线阵列中In与Sb的原子质量比接近于1/2，在每个周期中，InSb的厚度为12nm，Sb服务把本文推荐给朋友加入引用管理器E-mailAlertRSS作者相关文章
%U http://www.hgxb.com.cn/CN/abstract/abstract5956.shtml