%0 Journal Article
%T C3N4纳米棒的制备及光学性能
%A 籍凤秋
%A 王冰冰
%J 化工学报
%P 225-229
%D 2012
%R 10.3969/j.issn.0438-1157.2012.z1.039
%X 采用机械球磨法，以石墨为反应前驱物，在充有300kPa压力的氨气气氛下连续球磨200h，然后在氨气气氛、700℃以上的温度条件下热处理5h，制备出C3N4纳米棒。利用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、电子衍射、能量损失谱(EELS)以及红外光谱(FTIR)等手段进行了表征。纳米棒的长度在1～2μm，直径为80～150nm。分析结果表明合成的产物以β-C3N4单晶为主。对合成的β-C3N4产物进行光致发光(PL)性能测试和计算，得出其发射蜂在3.5～4.4eV之间，属于宽带隙的半导体材料。并对纳米棒的形成机理进行了初步探讨。
%K 机械球磨法
%K &beta
%K -
%K C3N4
%K 纳米棒
%K 光学性能
%U http://www.hgxb.com.cn/CN/abstract/abstract12770.shtml