%0 Journal Article
%T 亚微米DSOIMOSFET非平衡热电耦合模拟
%A 段传华
%A 梁新刚
%J 工程热物理学报
%P 1010-1012
%D 2005
%X 本文利用电子-光学声子-声学声子散射非平衡能量热电耦合模型数值模拟了DSOIMOSFET,得到了器件静电势、电子浓度和温度分布、声子温度等分布,分析了其热电性质。结果表明在栅极靠漏区是器件热电特性变化最为显著,DSOI器件自热效应很小,具有很好的热电特性,在亚微米器件中的确存在非平衡能量状态。
%K DSOI
%K MOSFET
%K 亚微米
%K 非平衡
%K 热电耦合
%U http://jetp.iet.cn/CN/abstract/abstract5092.shtml