%0 Journal Article
%T 几种湍流模型在晶体生长模拟中的应用及比较
%A 刘鑫
%A 刘立军
%A 王元
%A 柿本浩一
%J 工程热物理学报
%P 1500-1503
%D 2010
%X 利用块结构化网格对一典型工业用单晶硅CZ结晶炉进行离散，对炉内硅熔体的对流换热、所有部件内的传导换热和炉腔内的辐射换热进行整体耦合求解。针对大尺寸坩埚内的硅熔体湍流，分别应用低雷诺数k-s模型、标准k-s模型和k-s两层湍流模型进行模化。通过比较分析发现，应用三种湍流模型都能预测高温硅熔体的湍流结构，且基本一致，但各模型中对近固壁湍流的不同处理方法对固液凝固界面形状的模拟结果有较显著的影响。
%K 全局模拟
%K 晶体生长
%K 湍流模型
%K 熔体对流
%U http://jetp.iet.cn/CN/abstract/abstract7943.shtml