%0 Journal Article
%T SiC晶体生长中流场的优化设计
%A 颜君毅
%A 陈启生
%A 姜燕妮
%A 李炜
%J 工程热物理学报
%P 308-310
%D 2011
%X 物理气相输运法(PVT)是实验室最为常见的碳化硅(SiC)大块单晶生长方法。本文在碳化硅晶体生长模型化研究中,针对碳化硅单晶PVT生长过程中的传热传质等现象引入了对流传热中的场协同原理,利用这一原理对生长室内的流场温度场进行了优化,并对改良前后分别进行了数值模拟,研究了该原理对晶体生长的影响。实验室碳化硅单晶的生长成功率从优化设计前的30%提高到90%。
%K 碳化硅晶体
%K PVT法
%K 场协同
%K 浓度场
%K 流场
%U http://jetp.iet.cn/CN/abstract/abstract6932.shtml