%0 Journal Article
%T 钨和镍在350—1000K内的半球向全发射率的试验测定
%A 程曙霞
%J 工程热物理学报
%P 75-80
%D 1988
%X 本文利用非稳态卡计法精确地测定高度抛光的纯金属钨及镍在350—1000K的半球向全发射率。提出了一个修正公式,它不仅能消除非辐射热损对全热发射率的影响,而且能估计出因引进灰体假定而带来的误差。测试结果表明,钨的全发射率的实测值与Drude自由电子模型的理论值相当符合。然而,镍则不同。它在居里温度附近,其冷却速率及全发射率都有严重畸变。只有在这个“临界温度”之外,其测定值与理论值才又趋向一致。发现镍的热发射率的这种特性恰恰与它的直流电阻率ρ的温度系数dρ/dT随温度变化的特性十分相似,从而可以设想,现有热辐射理论无法预言在临界点附近热发射率所产生的畸变,其原因可能是由于只考虑ρ,而完全忽略dρ/dT的缘故。
%U http://jetp.iet.cn/CN/abstract/abstract867.shtml