%0 Journal Article
%T 半导体击穿过程的热分析
%A 徐云生
%A 过增元
%A 罗晓迎
%J 工程热物理学报
%P 298-302
%D 1993
%X 针对目前向高速高密度发展的集成电路,将器件热破坏的模型建立在非傅里叶导热分析上,从而按破坏时间的长短将破坏分为三个区域,即波区、绝热区和稳定区.对常功率输入下的体缺陷,给出了每个区域内输入功率Pf随破坏时间tf的变化规律.
%U http://jetp.iet.cn/CN/abstract/abstract1487.shtml