%0 Journal Article
%T 硅在cBN单晶合成中的行为
%A 周艳平
%A 阎学伟
%A 赵廷河
%A 马贤锋
%J 高压物理学报
%P 176-182
%D 1995
%R 10.11858/gywlxb.1995.03.003
%X 实验制备了复合氮化物Li8SiN4，并对合成温度、合成时间、气流量等因素的影响以及产物的稳定性进行了讨论。研究了Li8SiN4作为触媒添加剂时硅在cBN单晶合成中的作用。结果表明：cBN晶体多为截角八面体，晶面致密光滑；硅参与cBN的合成反应，并以SiO2的形式沉积在cBN表面。
%K cBN合成
%K 复合氮化物
%K 表面形态
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract988.shtml