%0 Journal Article
%T Cd1-xZnxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变
%A 鲍忠兴
%A 褚君浩
%A 柳翠霞
%A 刘克岳
%A 王金义
%J 高压物理学报
%P 269-272
%D 2000
%R 10.11858/gywlxb.2000.04.006
%X 在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法研究了Cd1-xZnxTe（x=0.04）在室温下、17GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明，它在3.1GPa左右和5GPa左右发生了两次电子结构相变，而在3.1GPa以上和5.7GPa左右发生了两次晶体结构相变。同时，还在活塞-圆筒测量装置上研究了Cd1-xZnxTe（x=0.04）在室温下、4.5GPa内的p-V关系。实验结果表明它在3.8GPa左右发生了相变。本工作还给出了它在相变前后的状态方程，以及它的Grüneisen参数γ0、体弹模量B0与B0的压力导数B0′。
%K 电阻
%K 电容
%K 状态方程
%K 相变
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract713.shtml