%0 Journal Article
%T ZnS掺Mn的电子结构研究
%A 沈汉鑫
%A 沈耀文
%J 高压物理学报
%P 65-68
%D 2003
%R 10.11858/gywlxb.2003.01.010
%X 用自旋极化的LSD-LMTO（Local-Spin-DensityLinearMuffin-Tin-OrbitalMethod）方法，对ZnS掺入Mn发光中心的电子结构进行了大型超原胞模拟计算。在自洽收敛的条件下，先对纯ZnS调节计算参数（原子球、空球占空比），使计算的带隙Eg=3.23eV；然后用原子球替代方式自洽计算杂质密度在Eg中的相对位置，模拟计算了在六角结构ZnS中掺入不同浓度的Mn杂质后有关的杂质能级在Eg中的相对位置。计算结果表明：（1）单个缺陷的杂质能级性质与配位场理论结果相符合，直接用杂质态密度来表示；（2）掺入杂质的浓度对杂质能级位置的影响不大，这与实验结果相一致。
%K 超原胞
%K 杂质能级
%K 发光中心
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract591.shtml