%0 Journal Article %T 表面吸附氧原子的GaAs电子结构及光学性质的研究 %A 朱姗姗 %A 殷春浩 %A 徐振坤 %A 吴彩萍 %A 侯磊田 %J 高压物理学报 %P 468-472 %D 2013 %R 10.11858/gywlxb.2013.03.023 %X 在密度泛函理论的基础上,利用第一性原理计算了表面吸附氧原子的GaAs的电子结构及光学性质。结果表明,表面氧原子的吸附导致表面能带向深部移动,禁带中出现由As4p轨道和Ga4p轨道构成的杂质能级,以及由As4s轨道和Ga4s轨道分裂形成的表面态能级;氧原子的吸附还导致表面d态和sp态电子的重新分布;氧原子的存在改善了晶格周期的缺陷性,改变电子跃迁的过程,影响晶体的光学性质。 %K GaAs %K 表面吸附 %K 第一性原理 %U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract1592.shtml