%0 Journal Article
%T 表面吸附氧原子的GaAs电子结构及光学性质的研究
%A 朱姗姗
%A 殷春浩
%A 徐振坤
%A 吴彩萍
%A 侯磊田
%J 高压物理学报
%P 468-472
%D 2013
%R 10.11858/gywlxb.2013.03.023
%X 在密度泛函理论的基础上，利用第一性原理计算了表面吸附氧原子的GaAs的电子结构及光学性质。结果表明，表面氧原子的吸附导致表面能带向深部移动，禁带中出现由As4p轨道和Ga4p轨道构成的杂质能级，以及由As4s轨道和Ga4s轨道分裂形成的表面态能级；氧原子的吸附还导致表面d态和sp态电子的重新分布；氧原子的存在改善了晶格周期的缺陷性，改变电子跃迁的过程，影响晶体的光学性质。
%K GaAs
%K 表面吸附
%K 第一性原理
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract1592.shtml